芯片托盤校正隧道爐
在半導體制造的精密賽道上，芯片托盤變形正成為影響生產效率與產品良率的 “隱形殺手”。材料老化、高溫沖擊、應力不均等因素，可能導致托盤出現翹曲、形變，引發芯片定位偏差、接觸不良等問題，造成生產線停滯、良品率驟降，甚至帶來高昂的返工成本與交付風險。如何突破這一技術瓶頸？愛福旺公司自主研發的隧道爐，以創新科技為芯片托盤 “重塑新生”，為半導體生產注入高效穩定動能！
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芯片托盤變形隧道爐參數如下：
內膽尺寸：長3000*寬，330*高 150mm，爐口凈高 50mm，配手動調節門。
外形尺寸（約）：長3000*寬 650*高 2150日mm，地面離輸送面高度1350mm±25mm，進／出料段各留500rnrn。
溫度范圍：室溫＋10～＋250℃可調節。
溫度波動度： 小于等于±l °C。
溫度均勻度：小于等于土3℃（恒溫狀態下， 空載測試）。
升溫速率： 大于等于5-10度／分。
外殼溫度： 溫升不超過環境＋15℃， 接縫處周邊除外。
循環風方式：水平循環運風
電源：二相五線制， 380V, 50HZ
功率： 約14KW
東莞市愛旺工業設備有限公司
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